合成CVD金刚石专利登记公告

专利名称：合成CVD金刚石

摘要：一种用于在合成环境中在基底上合成金刚石材料的化学气相沉积（CVD）方法，所述方法包含：提供基底；提供源气体；使所述源气体离解；和允许在基底上的同质外延金刚石合成；其中所述合成环境包含原子浓度为约0.4ppm至约50ppm的氮；并且其中该源气体包含：a)氢的原子分数Hf，其为约0.40至约0.75；b)碳的原子分数Cf，其为约0.15至约0.30；c)氧的原子分数Of，其为约0.13至约0.40；其中Hf+Cf+Of=1；其中碳的原子分数与氧的原子分数之比Cf:Of满足比率：约0.45:1

专利类型：发明专利

专利号：CN201080058389.5

专利申请（专利权）人：六号元素有限公司

专利发明（设计）人：D·J·特威切恩;A·M·贝内特;R·U·A·卡恩;P·M·马蒂诺

主权项：一种用于在合成环境中在基底上合成金刚石材料的化学气相沉积（CVD）方法，所述方法包含：提供基底；提供源气体；使所述源气体离解；和允许在基底上的同质外延金刚石合成；其中所述合成环境包含原子浓度为约0.4ppm至约50ppm的氮；且并且其中该源气体包含：a)氢的原子分数Hf，其为约0.40至约0.75；b)碳的原子分数Cf，其为约0.15至约0.30；c)氧的原子分数Of，其为约0.13至约0.40；其中Hf+Cf+Of=1；其中碳的原子分数与氧的原子分数之比Cf:Of满足比率：约0.45:1

专利地区：英国