异质结型太阳能电池及其制造方法专利登记公告

专利名称：异质结型太阳能电池及其制造方法

摘要：本发明涉及一种异质结型太阳能电池及其制造方法，该电池包括具有预定极性的半导体晶片，形成于半导体晶片的一个表面之上的第一半导体层，形成于半导体晶片的另一表面之上的第二半导体层，形成于第一半导体层之上的第一电极，形成于第二半导体层之上的第二电极，以及第一介面层及第二介面层中的至少一个介面层。其中，容纳有氧化锌的第一介面层形成于第一半导体层与第一电极之间，容纳有氧化锌的第二介面层形成于第二半导体层与第二电极之间。第二半导体层与第一半导体层的极性不相同。本发明通过形成介面层，以使得可能防止电极的材料渗透入半导体层

专利类型：发明专利

专利号：CN201080058536.9

专利申请（专利权）人：周星工程股份有限公司

专利发明（设计）人：刘真赫

主权项：一种异质结型太阳能电池，包含有：半导体晶片，具有预定的极性；第一半导体层，形成于该半导体晶片的一个表面之上；第二半导体层，形成于该半导体晶片的另一表面之上，其中该第二半导体层与该第一半导体层的极性不相同；第一电极，形成于该第一半导体层之上；第二电极，形成于该第二半导体层之上；以及第一介面层及第二介面层中的至少一个介面层，其中容纳有氧化锌(ZnO)的该第一介面层形成于该第一半导体层与该第一电极之间，并且容纳有氧化锌(ZnO)的该第二介面层形成于该第二半导体层与该第二电极之间。

专利地区：韩国