光学器件专利登记公告

专利名称：光学器件

摘要：激光二极管被构造为具有基板和增益区，所述基板通过相对的AR和HR反射器定界。所述增益区桥接相应的AR和HR反射器的部分并且被构造为具有主共振腔和至少一个侧共振腔。主共振腔跨越相应的反射器的部分之间，并且至少一个附加共振腔与主共振腔相邻延伸。增益区被构造为使得激励发射仅在主共振腔中产生。因此，激光二极管可操作以辐射通过AR反射器的尺寸被设计为形成具有期望近场的输出束的部分发射的高功率输出束。

专利类型：发明专利

专利号：CN201080058628.7

专利申请（专利权）人：IPG光子公司

专利发明（设计）人：瓦伦丁·盖庞特瑟夫;亚历山大·奥夫契尼可夫;阿列克谢·科米萨诺夫;帕维尔·特鲁边科

主权项：一种激光二极管，包括：基板，其在间隔开的HR和AR反射器之间延伸；增益区，其设置在所述基板中并且可操作以期望波长发射辐射线，所述增益区具有：主共振器，其桥接相应的HR和AR反射器的部分，以及侧共振器，其与所述主共振器相邻定位并且被构造为具有比所述主共振器的激光发射阈值高的激光发射阈值，其中通过所述AR反射器的部分发射具有期望近场的所述辐射线。

专利地区：美国