变容二极管和用于制造变容二极管的方法专利登记公告

专利名称：变容二极管和用于制造变容二极管的方法

摘要：变容二极管包括下述组成部分：第一PTC区域（4），所述第一PTC区域包括具有在电阻方面正温度系数的陶瓷材料；电容器区域（3），所述电容器区域包括第一电极（2）、第二电极（2’）、第一介电层（1），所述第一介电层设置在第一电极（2）和第二电极（2’）之间，其中第一PTC区域（4）和电容器区域（3）导热地彼此连接，并且电容器区域（3）的电容能够通过将偏压施加到第一PTC区域（4）上、电容器区域（3）上或第一PTC区域（4）和电容器区域（3）上而改变。

专利类型：发明专利

专利号：CN201080058831.4

专利申请（专利权）人：爱普科斯公司

专利发明（设计）人：安德烈埃·特斯蒂诺

主权项：变容二极管，包括下述组成部分：?第一PTC区域（4），所述第一PTC区域包括具有在电阻方面正温度系数的陶瓷材料；和?电容器区域（3），所述电容器区域包括：?第一电极（2）、?第二电极（2’）、?第一介电层（1），所述第一介电层设置在所述第一电极（2）和所述第二电极（2’）之间，其中所述第一PTC区域（4）和所述电容器区域（3）导热地彼此连接，并且所述电容器区域（3）的电容能够通过将偏压施加到?所述第一PTC区域（4）上、?所述电容器区域（3）上?所述第一PTC区域（4）和所述电容器区域（3）上来改变。

专利地区：德国