发射辐射的半导体器件专利登记公告

专利名称：发射辐射的半导体器件

摘要：说明了一种发射辐射的半导体器件，具有半导体本体（1），该半导体本体（1）具有活性层（3），所述活性层（3）在运行中在主辐射方向（13）上发射第一波长λ1的电磁辐射；以及具有发光转换层（5），其将所发射辐射的至少一部分转换成第二波长λ2的辐射，第二波长λ2大于第一波长λ1。在主辐射方向（13）上跟随活性层（3）之后的是功能层（6），该功能层（6）用于改善所发射辐射的辐射耦合输出、颜色混合和/或角度依赖性，其中功能层（6）包含玻璃、陶瓷、玻璃陶瓷或蓝宝石。

专利类型：发明专利

专利号：CN201080058843.7

专利申请（专利权）人：奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司

专利发明（设计）人：K. 贝格内克;M. 阿尔斯泰特;U. 利波尔德

主权项：一种发射辐射的半导体器件，具有－半导体本体（1），其具有活性层（3），所述活性层（3）在运行中在主辐射方向（13）上发射第一波长λ1的电磁辐射，－发光转换层（5），其将所发射辐射的至少一部分转换成第二波长λ2的辐射，第二波长λ2大于第一波长λ1，以及－功能层（6），其用于改善所发射辐射的辐射耦合输出、颜色混合和/或角度依赖性，其中功能层（6）在主辐射方向(13)上跟随在活性层（3）之后并且包含玻璃、陶瓷、玻璃陶瓷或蓝宝石。

专利地区：德国