薄膜硅叠层太阳能电池及其制造方法专利登记公告

专利名称：薄膜硅叠层太阳能电池及其制造方法

摘要：该光伏电池包含，以下列顺序沉积在透明基板上的：第一导电氧化物层；第一p-i-n结；第二p-i-n结；第二导电氧化物层，其中所述第一导电氧化物层基本透明并包含低压化学气相沉积的ZnO层；和所述第二导电氧化物层包含至少部分透明的低压化学气相沉积的ZnO层；和其中所述第一p-i-n结以下列顺序包含：利用PECVD沉积并在其面向所述第二p-i-n结的末端区域处具有比在其面向所述第一导电氧化物层的末端区域处高的带隙的p-掺杂的a-Si:H层；利用PECVD沉积的没有主动添加掺杂剂的a-Si:H缓冲层；利用PECVD

专利类型：发明专利

专利号：CN201080058850.7

专利申请（专利权）人：欧瑞康太阳能股份公司（特吕巴赫）

专利发明（设计）人：T. 罗舍克;H. 戈德巴赫

主权项：光伏电池，其包含，以下列顺序沉积在透明基板上的??第一导电氧化物层；??第一p?i?n结；??第二p?i?n结；??第二导电氧化物层；其中??所述第一导电氧化物层是基本透明的并包含低压化学气相沉积的ZnO层；和??所述第二导电氧化物层包含至少部分透明的低压化学气相沉积的ZnO层；和其中所述第一p?i?n结以下列顺序包含??p?掺杂的a?Si:H层，其利用PECVD沉积并在其面向所述第二p?i?n结的末端区域处具有比在其面向所述第一导电氧化物层的末端区域处更高的带隙；??利用PECVD沉积的没有主动添加掺杂

专利地区：瑞士