存储器装置、半导体器件和电子装置专利登记公告

专利名称：存储器装置、半导体器件和电子装置

摘要：一个目的是提供一种存储器装置，该存储器装置不需要复杂制造过程，并且其功率消耗能够得到抑制，以及一种包括存储器装置的半导体器件。一种解决方案是提供保持数据的电容器以及控制存储器元件的电容器中存储和释放电荷的开关元件。在存储器元件中，诸如倒相器或拍频倒相器之类的倒相元件包括将输入信号的相位倒相并且输出信号。对于开关元件，使用在沟道形成区中包括氧化物半导体的晶体管。在停止向倒相元件施加电源电压的情况下，数据存储在电容器中，使得甚至当停止向倒相元件施加电源电压时，数据也保持在电容器中。

专利类型：发明专利

专利号：CN201080059057.9

专利申请（专利权）人：株式会社半导体能源研究所

专利发明（设计）人：小山润;山崎舜平

主权项：?一种包括多个存储器元件的存储器装置，所述存储器元件各包括：第一倒相元件和第二倒相元件，通过相互连接成使得所述第一倒相元件的输入端子连接到所述第二倒相元件的输出端子以及所述第二倒相元件的输入端子连接到所述第一倒相元件的输出端子，来保持数据；电容器；以及晶体管，在沟道形成区中包括氧化物半导体，并且配置成控制将所述数据写到所述电容器。

专利地区：日本