功率半导体器件专利登记公告

专利名称：功率半导体器件

摘要：具有四层npnp结构以及阴极侧(11)和相对阴极侧(11)设置的阳极侧(12)的功率半导体器件(1)可经由栅极电极(4)关断。这些层按如下顺序设置在阴极侧(11)上的阴极电极(2)与阳极侧(12)上的阳极电极(3)之间：-具有中心区域的第一导电类型的阴极层(5)，中心区域由横向边缘包围，该阴极层(5)与阴极电极(2)直接电接触；-第二导电类型的基极层(6)；-第一导电类型的漂移层(7)，其中漂移层(7)具有比阴极层(5)更低的掺杂浓度；以及-第二导电类型的阳极层(8)，其与阳极电极(3)电接触。栅极电极(

专利类型：发明专利

专利号：CN201080059079.5

专利申请（专利权）人：ABB 技术有限公司

专利发明（设计）人：M. 拉希莫

主权项：?集成栅极换流晶闸管(1)，具有阴极侧(11)和相对所述阴极侧(11)设置的阳极侧(12)，所述器件(1)包括具有不同导电类型层的四层结构，所述四层结构定义晶闸管的内部结构，所述晶闸管可经由栅极电极(4)关断，并且所述层按如下顺序设置在所述阴极侧(11)上的阴极电极(2)与所述阳极侧(12)上的阳极电极(3)之间：具有中心区域的第一导电类型的阴极层(5)，所述中心区域由横向边缘包围，所述阴极层(5)与所述阴极电极(2)直接电接触，第二导电类型的基极层(6)，第一导电类型的漂移层(7)，其中所述漂移层(7)

专利地区：瑞士