III族氮化物半导体激光器元件及制作III族氮化物半导体激光器元件的方法专利登记公告

专利名称：III族氮化物半导体激光器元件及制作III族氮化物半导体激光器元件的方法

摘要：本发明提供一种III族氮化物半导体激光器元件，其在六方晶系III族氮化物的c轴向m轴的方向倾斜的支撑基体的半极性面上，具有表现出用于谐振镜的高质量且可实现低阈值电流的激光谐振器。成为激光谐振器的切断面(27、29)与m-n面交叉。III族氮化物半导体激光器元件11具有在m-n面与半极性面(17a)的交叉线方向延伸的激光波导路。因此，可利用能实现低阈值电流的能带跃迁的发光。切断面(27、29)自第1面(13a)的边缘(13c)延伸至第2面(13b)的边缘(13d)。切断面(27、29)通过在支撑基体背面具有

专利类型：发明专利

专利号：CN201080059085.0

专利申请（专利权）人：住友电气工业株式会社

专利发明（设计）人：高木慎平;善积祐介;片山浩二;上野昌纪;池上隆俊

主权项：一种III族氮化物半导体激光器元件，其包括：激光器构造体，其包含由六方晶系III族氮化物半导体构成且具有半极性主面的支撑基体、及设于上述支撑基体的上述半极性主面上的半导体区域；以及电极，其设于上述激光器构造体的上述半导体区域上，上述半导体区域包含由第1导电型氮化镓系半导体构成的第1包覆层、由第2导电型氮化镓系半导体构成的第2包覆层、及设于上述第1包覆层与上述第2包覆层之间的活性层，上述第1包覆层、上述第2包覆层及上述活性层沿上述半极性主面的法线轴排列，上述活性层包含氮化镓系半导体层，上述支撑基体的上述六方

专利地区：日本