混合式存储器架构专利登记公告

专利名称：混合式存储器架构

摘要：用于提供具有易失性和非易失性存储器的混合式存储器模块来替代处理系统中的DDR通道的方法和装置。

专利类型：发明专利

专利号：CN201080059364.7

专利申请（专利权）人：英特尔公司

专利发明（设计）人：K·K·钦纳斯瓦密;R·B·奥斯本;E·W·彼得

主权项：一种具有集成电路(IC)封装的系统，所述系统包括：设置在IC封装内的处理核；经由IC封装内的内部接口与所述处理核相耦合的易失性存储器，所述易失性存储器用作末级硬件管理的高速缓存存储器；经由所述IC封装内的内部接口与所述处理核相耦合的非易失性存储器，所述非易失性存储器用作盘高速缓存；与所述处理核相耦合的存储器接口，所述存储器接口提供至外部存储组件的通信接口。

专利地区：美国