凹陷型嵌入式管芯无核封装专利登记公告

专利名称：凹陷型嵌入式管芯无核封装

摘要：描述形成微电子封装结构的方法以及由此形成的相关联的结构。那些方法可包括：在镀覆材料中形成空腔以容纳管芯；在空腔中附着管芯；相邻于管芯形成电介质材料；在与管芯相邻的电介质材料中形成通路；在通路中形成PoP岛；在通路中形成互连；然后去除镀覆材料以暴露PoP岛和管芯，其中管芯设置在PoP岛上。

专利类型：发明专利

专利号：CN201080059434.9

专利申请（专利权）人：英特尔公司

专利发明（设计）人：J. 古泽克

主权项：?一种方法，包括：在镀覆材料中形成空腔；在所述空腔中附着管芯；相邻于所述管芯形成电介质材料；在与所述管芯相邻的所述电介质材料的区域中形成通路；在所述通路内形成PoP岛区；在所述PoP岛区中形成PoP岛结构；在所述管芯区中形成通路以暴露所述管芯上的管芯焊盘；在所述管芯区通路中形成管芯焊盘互连结构，并在所述电介质区域通路中形成PoP互连结构；以及去除所述镀覆材料以暴露所述管芯和所述PoP岛结构。

专利地区：美国