CMP用研磨液及使用其的研磨方法专利登记公告

专利名称：CMP用研磨液及使用其的研磨方法

摘要：本发明的目的是提供一种CMP用研磨液及使用其的研磨方法，该研磨液在ILD膜的CMP工序中，可以在减少研磨损伤的同时获得充分高的研磨速度，并且研磨粒的聚集不易产生，可以获得高平坦性。本发明的CMP用研磨液是含有研磨粒、添加剂和水的CMP用研磨液，其中，研磨粒包含铈系粒子，添加剂包含通式（1）所示的4-吡喃酮系化合物、以及非离子性表面活性剂和阳离子性表面活性剂中的至少一方。[式中，X11、X12和X13各自独立地是氢原子或1价的取代基。

专利类型：发明专利

专利号：CN201080059718.8

专利申请（专利权）人：日立化成工业株式会社

专利发明（设计）人：花野真之;佐藤英一;太田宗宏;茅根环司

主权项：一种CMP用研磨液，其是含有研磨粒、添加剂和水的CMP用研磨液，其中，所述研磨粒包含铈系粒子，所述添加剂包含下述式（1）所示的4?吡喃酮系化合物、以及非离子性表面活性剂和阳离子性表面活性剂中的至少一方，式中，X11、X12和X13各自独立地是氢原子或1价的取代基。FDA00001820857300011.jpg

专利地区：日本