用于抗蚀剂的下层的组合物和使用其来生产半导体集成电路装置的方法专利登记公告

专利名称：用于抗蚀剂的下层的组合物和使用其来生产半导体集成电路装置的方法

摘要：提供了用于抗蚀剂的下层的组合物，包括如在化学式1至3中表示的有机硅烷类缩聚化合物；和溶剂。该用于抗蚀剂的下层的组合物容易控制折射率和光吸收，并且可以提供具有良好的抗反射特性的用于抗蚀剂的下层和使用其的半导体集成电路装置。

专利类型：发明专利

专利号：CN201080060219.0

专利申请（专利权）人：第一毛织株式会社

专利发明（设计）人：金美英;李雨晋;韩权愚;李汉松;金相均;金钟涉

主权项：一种抗蚀剂下层组合物，包括：由以下式1至3表示的化合物的有机硅烷缩聚产物；和溶剂：[化学式1][R1O]3Si?X其中，在化学式1中，R1是取代或未取代的C1至C6烷基基团，并且X是取代或未取代的C6至C30芳基基团，[化学式2][R2O]3Si?R3其中，在化学式2中，R2是取代或未取代的C1至C6烷基基团，并且R3是取代或未取代的C1至C12烷基基团，[化学式3][R4O]3Si?Si[OR5]3其中，在化学式3中，R4和R5是相同或不同的，并且是取代或未取代的C1至C6烷基基团。

专利地区：韩国