Flash EEPROM灵敏放大电路专利登记公告

专利名称：Flash EEPROM灵敏放大电路

摘要：本发明公开了一种Flash?EEPROM灵敏放大电路，其包括：一基准电流源，用于给该灵敏放大电路提供基准电流；一P类级联负反馈环路，其采用PMOS管实现级联结构，用于将参考单元位线或存储单元位线的电压钳位于预设的偏置电位；一负载增益电阻。该基准电流源、P类级联负反馈环路与负载增益电阻依次串联，且该负载增益电阻接地。所述基准电路源产生的电流经参考单元或存储单元分流后流经所述负载增益电阻，产生检测电压或参考检测电压，该检测电压和参考检测电压均送入后继差分比较器，通过比较所述两个电压，从而得到存储单元内的数据值

专利类型：发明专利

专利号：CN201110001619.0

专利申请（专利权）人：上海华虹集成电路有限责任公司

专利发明（设计）人：夏天;傅志军;顾明

主权项：一种Flash?EEPROM灵敏放大电路，其特征在于，包括：一基准电流源，用于给该灵敏放大电路提供基准电流；一P类级联负反馈环路，其采用PMOS管实现级联结构，用于将参考单元位线或存储单元位线的电压钳位于预设的偏置电位；一负载增益电阻，其一端为电压检测端，另一端为接地端接地，用于产生检测电压及参考检测电压；所述基准电流源、P类级联负反馈环路与负载增益电阻依次串联，所述基准电流源产生的电流经参考单元或存储单元分流后流经所述负载增益电阻，产生的所述参考检测电压或检测电压送入后继差分比较器。

专利地区：上海