分栅闪存单元及其制作方法专利登记公告

专利名称：分栅闪存单元及其制作方法

摘要：一种分栅闪存单元制造方法，包含：提供衬底，所述衬底包含至少两个第一区域和位于第一区域之间的第二区域，所述第一区域衬底表面形成有隧穿层、纳米晶层、阻挡层、控制栅；在第二区域衬底内形成沟槽；在所述沟槽表面形成隔离介质层，并形成填充满所述沟槽且厚度大于所述沟槽深度的字线；在控制栅与字线相对的两侧形成源、漏区。相应地，本发明还提供利用上述方法形成的分栅闪存单元。利用本发明所提供的分栅闪存单元及其制造方法采用局域化分离电荷存储数据，有利于实现器件的小型化，此外，利用本发明所提供的分栅闪存单元及其制造方法可以降低编程

专利类型：发明专利

专利号：CN201110002731.6

专利申请（专利权）人：上海宏力半导体制造有限公司

专利发明（设计）人：曹子贵

主权项：一种分栅闪存单元制造方法，其特征在于，包含：提供衬底，所述衬底包含至少两个第一区域和位于第一区域之间的第二区域，所述第一区域衬底表面依次形成有隧穿层、纳米晶层、阻挡层、控制栅；在第二区域衬底内形成沟槽；在所述沟槽表面形成隔离介质层，并形成填充满所述沟槽且厚度大于所述沟槽深度的字线；在控制栅与字线相对的两侧形成源、漏区。

专利地区：上海