太阳能电池元件结构专利登记公告

专利名称：太阳能电池元件结构

摘要：本发明揭露一种太阳能电池元件结构，其包含一基板、一金属层、一p型半导体层、一n型半导体层、一透明导电层以及一高阻值膜层。该金属层形成于该基板的表面。该p型半导体层形成于该金属层之上，且包含铜铟镓硒硫(CIGSS)、铜铟镓硒(CIGS)、铜铟硫(CIS)、铜铟硒(CIS)或包含铜、硒或硫二者或二者以上的化合物材料。该n型半导体层具光触媒特性(例如可利用照光提高载子迁移率)，且形成于该p型半导体层的表面，而与该p型半导体层形成p-n接合面。该透明导电层形成于该n型半导体层之上。该高阻值膜层形成于该金属层及透明

专利类型：发明专利

专利号：CN201110004078.7

专利申请（专利权）人：太阳海科技股份有限公司

专利发明（设计）人：章丰帆;林信志;林信宏;谢季桦;李宗龙

主权项：一种太阳能电池元件结构，包含：一基板；一金属层，形成于该基板的表面；一p型半导体层，形成于该金属层之上，包含铜、硒及硫三者中的二者或二者以上的化合物材料；一n型半导体层，具光触媒特性，形成于该p型半导体层的表面，且与该p型半导体层形成p?n接合面；以及一透明导电层，形成于该n型半导体层之上；以及一高阻值膜层，形成于该金属层及透明导电层之间。

专利地区：台湾