一种制造金纳米阵列超微电极的方法专利登记公告

专利名称：一种制造金纳米阵列超微电极的方法

摘要：本发明涉及一种制造金纳米阵列超微电极的方法，用氧化还原液相法制备表面长有金纳米锥阵列的金微米片，作为超微电极的敏感探头，将上述制备的表面长有金纳米锥阵列的金微米片用导电银胶粘接固定在一根直径为几十微米的金丝尖端的盘状面上。将金丝跟铜丝焊接后，穿入到拉制好的玻璃毛细管中，铜丝一端的毛细管用环氧树脂封好，露出的铜丝作为工作电极的引线；将金丝一端的毛细管熔封，使仅暴露合适尺寸的金丝。与现有技术相比，本发明制备金纳米阵列超微电极的方法简单易行，成本低，且可方便实现微电极活性端头(表面长有金纳米锥阵列二级结构的金微

专利类型：发明专利

专利号：CN201110006643.3

专利申请（专利权）人：同济大学

专利发明（设计）人：秦瑶;杨金虎;包志豪;彭成信;赵鹏;郭方方

主权项：一种制造金纳米阵列超微电极的方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：(1)表面长有金纳米锥阵列的金微米片的制备：将氯金酸加入BMIM[PF6]离子液体中，待溶解后，加入甲酰胺，用涡旋振荡器充分混合后，将此溶液转入试管中，置于烘箱中，一定时间后取出，冷却，将上层清液倾出，丙酮洗数次后得红色沉淀产物，真空干燥，得到表面长有金纳米锥阵列的金微米片，于保干器中存储；(2)金纳米锥阵列超微电极的组装制作：将表面长有金纳米锥阵列的金微米片用导电银胶粘接固定在一根直径为30～60微米的金丝尖端的盘状面上，金丝后部与铜丝焊

专利地区：上海