编程电阻存储单元的方法和装置专利登记公告

专利名称：编程电阻存储单元的方法和装置

摘要：本发明公开了一种编程电阻存储单元的方法和装置。该方法包括：采用第一编程脉冲对电阻存储单元进行编程操作；检测采用第一编程脉冲对电阻存储单元进行编程操作是否成功；以及在对电阻存储单元编程失败的情况下，采用第二编程脉冲对电阻存储单元进行编程操作，第二编程脉冲比第一编程脉冲的宽度长。本发明中，采用增长脉冲宽度的编程脉冲对电阻存储单元进行编程操作，可以大大提高电阻存储单元的反复擦写次数，延长其使用寿命。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110006817.6

专利申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所

专利发明（设计）人：刘明;连文泰;龙世兵;刘琦;李颖弢;张森;王艳

主权项：一种编程电阻存储单元的方法，其特征在于，包括：采用第一编程脉冲对所述电阻存储单元进行编程操作；检测采用第一编程脉冲对所述电阻存储单元进行编程操作是否成功；以及在对所述电阻存储单元编程失败的情况下，采用第二编程脉冲对所述电阻存储单元进行编程操作，所述第二编程脉冲比所述第一编程脉冲的宽度长。

专利地区：北京