半导体装置的制造方法专利登记公告

专利名称：半导体装置的制造方法

摘要：根据本发明的一实施方式的半导体装置的制造方法，在使第1焊料凸块和第2焊料凸块对位并接触后，加热至焊料凸块的熔点以上的温度而使它们熔化，从而形成第1焊料凸块和第2焊料凸块的临时连接体。将冷却后的临时连接体在还原性气氛中加热至焊料凸块的熔点以上的温度，将存在于临时连接体表面上的氧化膜除去，同时使临时连接体熔化，从而形成正式连接体。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110007830.3

专利申请（专利权）人：株式会社东芝

专利发明（设计）人：青木秀夫;福田昌利;泽田佳奈子;小盐康弘

主权项：一种半导体装置的制造方法，其具备以下工序：使设在第1基板上的第1焊料凸块和设在第2基板上的第2焊料凸块对位并接触的工序；将所述第1焊料凸块和所述第2焊料凸块加热至所述第1焊料凸块和所述第2焊料凸块的熔点以上的温度而使它们熔化，从而形成所述第1焊料凸块和所述第2焊料凸块的临时连接体的工序；对所述临时连接体进行冷却的工序；和将所述冷却后的临时连接体在还原性气氛中加热至所述第1焊料凸块和所述第2焊料凸块的熔点以上的温度，将存在于所述临时连接体的表面上的氧化膜除去，同时使所述临时连接体熔化，从而形成正式连接体的工

专利地区：日本