电压控制变容器及其制备方法专利登记公告

专利名称：电压控制变容器及其制备方法

摘要：本发明公开了一种电压控制变容器，其包括衬底，衬底上设有与衬底具有相同导电类型的外延层，外延层中至少包含一个沟槽，沟槽的内壁覆盖有介电层，在沟槽内填充多晶硅，外延层的表面设置有离子注入层，离子注入层的导电类型与外延层的导电类型相反，多晶硅和离子注入层通过金属连接一起作为电压控制变容器的一个电极，衬底背面通过金属淀积形成电压控制变容器的另一个电极。本发明的结构中，沟槽之间的外延层同时从纵向和横向耗尽，耗尽区变宽很多，使得电容值调节范围变大很多。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110021966.X

专利申请（专利权）人：上海华虹NEC电子有限公司

专利发明（设计）人：金勤海;陆涵蔚;刘春玲

主权项：一种电压控制变容器，其特征在于：包括衬底，所述衬底上设有与衬底具有相同导电类型的外延层，所述外延层中至少包含一个沟槽，所述沟槽的内壁覆盖有介电层，在所述沟槽内填充多晶硅，所述外延层的表面设置有离子注入层，所述离子注入层的导电类型与所述外延层的导电类型相反，所述多晶硅和所述离子注入层通过金属连接一起作为电压控制变容器的一个电极，衬底背面通过金属淀积形成电压控制变容器的另一个电极。

专利地区：上海