钳位二极管结构及其制备方法专利登记公告

专利名称：钳位二极管结构及其制备方法

摘要：本发明公开了一种钳位二极管结构，其由P型有源区形成的阳极与N型阱区形成的阴极构成，所述P型有源区由P+掺杂区和P-掺杂区构成，该P-掺杂区位于该P型有源区与绝缘区的交界处，两个所述P-掺杂区间为所述P+掺杂区，该P+掺杂区上覆盖有金属硅化物，而所述P-掺杂区上没有金属硅化物的覆盖。藉由本发明二极管结构，其反向击穿只发生在所述P+掺杂区与N型阱区交界处的PN结，使击穿电压面内分布均匀，能降低该器件的反向击穿漏电流，且其P型有源区顶角版图上设计为倒角45°，因此能有效改善反向击穿电压随时间的裂化问题，配合使用

专利类型：发明专利

专利号：CN201110022514.3

专利申请（专利权）人：上海华虹NEC电子有限公司

专利发明（设计）人：仲志华

主权项：一种钳位二极管结构，其包含P型有源区形成的阳极与N型阱区形成的阴极，其特征在于：所述P型有源区由P+掺杂区和P?掺杂区构成，该P?掺杂区位于该P型有源区与绝缘区的交界处，两个所述P?掺杂区间为所述P+掺杂区，该P+掺杂区上覆盖有金属硅化物。

专利地区：上海