一种非挥发性存储器件的编程方法专利登记公告

专利名称：一种非挥发性存储器件的编程方法

摘要：本发明公开了一种非挥发性存储器件的编程方法，属于非挥发性存储器技术领域。所述存储器件为堆栈栅非挥发性存储器件时，所述方法包括如下步骤：在编程时刻前，于非挥发性存储器件的漏极和/或源极，施加预定脉冲宽度和电压的负脉冲；于编程时刻，在栅极和漏极,或栅极和源极施加脉冲宽度相同的正向同步脉冲。本发明通过扩大热电子注入编程时电子注入区域的范围，增加注入电子的数量，从而提高电子的注入效率，使得存储窗口增大。同时，扩大的注入范围，可以有效降低电子窄范围注入时对隧穿介质层带来的损坏，提高非挥发性存储器的可靠性，延长电荷在

专利类型：发明专利

专利号：CN201110022638.1

专利申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所

专利发明（设计）人：霍宗亮;姜丹丹;刘明;张满红;王琴;刘璟;李冬梅

主权项：一种非挥发性存储器件的编程方法，所述存储器件为堆栈栅非挥发性存储器件，其特征在于，包括如下步骤：步骤A、在编程时刻前，于非挥发性存储器件的漏极和/或源极，施加预定脉冲宽度和电压的负脉冲；步骤B、于编程时刻，在栅极和漏极,或栅极和源极施加脉冲宽度相同的正向同步脉冲。

专利地区：北京