器件电学特性相关性分析方法及器件结构优化方法专利登记公告

专利名称：器件电学特性相关性分析方法及器件结构优化方法

摘要：本申请公开了一种器件电学特性相关性分析方法及器件结构优化方法。电子器件可以包括多个电学特性v1、v2、v3、...、vm，其中电学特性v2、v3、...、vm构成(m-1)维空间。针对该(m-1)维空间中多个离散的测量点(v2k，v3k，...，vmk)，已经获得了电学特性v1的相应多个测量值。该电学特性相关性分析方法包括：在(m-1)维空间中，对多个测量点(v2k，v3k，...，vmk)进行Delaunay三角剖分；根据Delaunay三角剖分结果，通过插值计算得到多个插值点(v2i，v3i，...，

专利类型：发明专利

专利号：CN201110023167.6

专利申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所

专利发明（设计）人：梁擎擎;朱慧珑;钟汇才

主权项：一种电子器件的电学特性相关性分析方法，其中所述电子器件包括多个电学特性v1、v2、v3、...、vm，其中m是大于1的整数，电学特性v2、v3、...、vm构成(m?1)维空间，(v2i，v3i，...，vmi)为所述(m?1)维空间中的点，针对所述(m?1)维空间中的多个离散的测量点(v2k，v3k，...，vmk)，已经获得了电学特性v1的相应多个测量值，其中i、k表示点的索引，该方法包括：在所述(m?1)维空间中，对所述多个测量点(v2k，v3k，...，vmk)进行Delaunay三角剖分；根据D

专利地区：北京