一种半导体器件的研磨方法专利登记公告

专利名称：一种半导体器件的研磨方法

摘要：一种半导体器件的研磨方法，包括以下步骤：提供研磨垫，所述研磨垫表面具有研磨过程中产生的固体颗粒；将修复晶圆放置于研磨垫上，所述修复晶圆表面形成有与研磨垫接触的多晶硅层，所述多晶硅层表面具有一定粗糙度；向研磨垫上加入研磨液，进行研磨，所述多晶硅层吸附研磨垫表面的固体颗粒。本发明的研磨方法可以快速去除填堵在研磨垫表面磨料块间隙中的固体颗粒，延长研磨垫的使用寿命以及提高晶圆的研磨速率和研磨质量。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110023431.6

专利申请（专利权）人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

专利发明（设计）人：蒋莉

主权项：一种半导体器件的研磨方法，其特征在于，包括以下步骤：提供研磨垫，所述研磨垫表面具有研磨过程中产生的固体颗粒；将修复晶圆放置于研磨垫上，所述修复晶圆表面形成有与研磨垫接触的多晶硅层，所述多晶硅层表面具有一定粗糙度；向研磨垫上加入研磨液，进行研磨，所述多晶硅层吸附研磨垫表面的固体颗粒。

专利地区：上海