制作分离栅极式快闪存储器单元的方法专利登记公告

专利名称：制作分离栅极式快闪存储器单元的方法

摘要：本发明公开制作分离栅极式快闪存储器单元的方法，包括提供依次形成有浮栅氧化层、浮置栅极材料层和至少一对控制栅极结构的衬底；在每对控制栅极结构的部分上表面和每对控制栅极结构之间形成第一光刻胶层；以第一光刻胶层为掩膜进行离子注入并对浮置栅极材料层进行刻蚀；去除第一光刻胶层；在每对控制栅极结构和浮置栅极材料层的侧壁上形成间隙壁；在每对控制栅极结构的部分上表面和每对控制栅极结构外侧形成第二光刻胶层；以第二光刻胶层为掩膜对浮置栅极材料层进行刻蚀并进行离子注入；去除第二光刻胶层；在每对控制栅极结构外侧的衬底上方形成字线

专利类型：发明专利

专利号：CN201110024213.4

专利申请（专利权）人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

专利发明（设计）人：李勇;周儒领

主权项：一种制作分离栅极式快闪存储器单元的方法，包括：a）提供衬底，所述衬底上依次形成有浮栅氧化层、浮置栅极材料层和至少一对控制栅极结构；b）在每对所述控制栅极结构的部分上表面以及每对所述控制栅极结构之间形成第一光刻胶层；c）以所述第一光刻胶层为掩膜进行离子注入，以对每对所述控制栅极结构外侧的所述衬底进行字线阈值电压调整，并以所述第一光刻胶层为掩膜对所述浮置栅极材料层进行刻蚀，以形成刻蚀后的浮置栅极材料层；d）去除所述第一光刻胶层；e）在每对所述控制栅极结构的侧壁和所述刻蚀后的浮置栅极材料层的侧壁上形成间隙壁；f

专利地区：上海