薄膜晶体管结构及其制造方法专利登记公告

专利名称：薄膜晶体管结构及其制造方法

摘要：一种薄膜晶体管结构，其包括基板、闸极层、闸极绝缘层、源极和汲极以及透明材料层。其中闸极层形成于基板上；闸极绝缘层形成于闸极层上；源极和汲极形成于闸极绝缘层上；透明材料层具有通道区以及绝缘区，其中通道区位于源极和汲极之间的闸极绝缘层上，绝缘区覆盖于源极和该汲极上。本发明还提供一种上述薄膜晶体管结构的制造方法。本发明的薄膜晶体管结构及其制造方法具有节省制程步骤与时间的优点。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110024932.6

专利申请（专利权）人：元太科技工业股份有限公司

专利发明（设计）人：舒芳安;王裕霖;叶佳俊;辛哲宏

主权项：一种薄膜晶体管结构，其包括：一基板；一闸极层，形成于该基板上；一闸极绝缘层，形成于该闸极层上；一源极和一汲极，形成于该闸极绝缘层上；以及一透明材料层，具有一通道区以及一绝缘区，其中该通道区位于该源极和该汲极之间的该闸极绝缘层上，该绝缘区覆盖于该通道区、该源极和该汲极上。

专利地区：台湾