一种发光二极管芯片封装体及其封装方法专利登记公告

专利名称：一种发光二极管芯片封装体及其封装方法

摘要：一种发光二极管芯片封装体及其封装方法，所述封装体包含：一个发光二极管芯片，其具有一个包含P型电极区域与N型电极区域的半导体基体和至少两个配置在所述半导体基体的电极安装表面且分别与所述电极区域电气连接的电极；一个形成于所述电极安装表面上且具有两个曝露对应的电极的穿孔的透光绝缘层；一个形成于所述透光绝缘层的位于P型电极区域的透光绝缘层部分上的金属反射层；一个形成于所述金属反射层上且延伸到所述电极安装表面的保护绝缘层；具有两个各通达对应的电极的导体形成孔的导体形成绝缘层；及形成在所述导体形成孔内使得可与对应的电

专利类型：发明专利

专利号：CN201110025425.4

专利申请（专利权）人：王琮淇;沈育浓

专利发明（设计）人：王琮淇;沈育浓

主权项：一种发光二极管芯片封装体的封装方法，其特征在于包含：提供一个发光二极管晶圆，所述晶圆具有数个发光二极管芯片，每个芯片包括一个包含P型电极区域与N型电极区域的半导体基体和至少两个配置在所述半导体基体的电极安装表面且分别与所述电极区域电气连接的电极；在所述晶圆的电极安装表面上形成一个透光绝缘层，所述透光绝缘层经由曝光和显影处理来形成有数个各曝露对应的电极的曝露孔；于所述透光绝缘层的位于对应于P型电极区域的位置的透光绝缘层部分上形成一个金属反射层；于所述透光绝缘层和反射金属层上形成一个保护绝缘层，所述保护绝缘层

专利地区：台湾