一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池缓冲层材料制备方法专利登记公告
专利名称：一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池缓冲层材料制备方法
摘要：本发明所提供一种制备铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳能电池缓冲层材料的方法，该方法特征是采用ZnS靶(源)和ZnO靶(源)通过磁控溅射制备ZnSxO1-x薄膜材料，具有工艺简单、薄膜沉积速率快、无污染、薄膜结晶性好等特点。采用ZnSxO1-x薄膜材料作为CIGS薄膜太阳能电池的缓冲层材料，能够有效降低电池的制备成本、减少吸收层与缓冲层晶格失配率、提高其光电转化效率等。
专利类型：发明专利
专利号：CN201110025997.2
专利申请（专利权）人：河南师范大学
专利发明（设计）人：宋桂林;王天兴;杨海刚;夏存军;李超;李苗苗;尤天友;常方高
主权项：采用ZnS与ZnO靶材制备ZnS与ZnSxO1?x薄膜。
专利地区：河南
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