铟镓铝氮基发光器件制造过程中的应力调节方法专利登记公告

专利名称：铟镓铝氮基发光器件制造过程中的应力调节方法

摘要：本发明公开了一种铟镓铝氮基发光器件制造过程中的应力调节方法，涉及一种铟镓铝氮基半导体发光器件。该方法用于释放调节铟镓铝氮薄膜的应力，使器件的光电性能和可靠性获得提高。该方法包括：在生长衬底上形成铟镓铝氮薄膜；在铟镓铝氮薄膜上形成有呈图形化的、膨胀系数小于或者大于所述铟镓铝氮薄膜的应力调节筋，该应力调节筋减弱后续加工对铟镓铝氮薄膜产生的应力的变化趋势。本发明提出在铟镓铝氮薄膜上面制备一种图形化的应力调节筋结构，该应力调节筋附着在铟镓铝氮薄膜的表面，具有足以影响铟镓铝氮薄膜的应力的厚度。该应力调节筋所用的材料

专利类型：发明专利

专利号：CN201110026126.2

专利申请（专利权）人：晶能光电(江西)有限公司

专利发明（设计）人：熊传兵;赵汉民;江风益

主权项：一种铟镓铝氮基发光器件制造过程中的应力调节方法，包括：在生长衬底上形成铟镓铝氮薄膜；在铟镓铝氮薄膜上形成有呈图形化的、膨胀系数小于或者大于所述铟镓铝氮薄膜的应力调节筋，该应力调节筋减弱后续加工对铟镓铝氮薄膜产生的应力的变化趋势。

专利地区：江西