集成一个电容的金属氧化物半导体场效应晶体管专利登记公告

专利名称：集成一个电容的金属氧化物半导体场效应晶体管

摘要：本发明涉及一种金属氧化物半导体场效应晶体管，更确切的说，本发明涉及一种集成有一个电容的金属氧化物半导体场效应晶体管及其制备方法。本发明的电容直接集成于金属氧化物半导体场效应晶体管上，取代了以键合金线来连接金属氧化物半导体场效应晶体管和外置电容的方式，极大的消除了连线离散电感。由于电容极板和电介质层的存在，相当于增加了硅片衬底的厚度和机械强度，依据该优点，可以减薄硅片衬底取得较低的金属氧化物半导体场效应晶体管导通电阻。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110028407.1

专利申请（专利权）人：万国半导体股份有限公司

专利发明（设计）人：薛彦迅;安荷·叭剌;哈姆扎·耶尔马兹;鲁军

主权项：一种集成一个电容的MOS场效应晶体管，其特征在于，MOS场效应晶体管集成有一个旁路电容，其中：于一硅片衬底顶面上设置有构成MOS场效应晶体管第一电极的第一电极金属层及构成MOS场效应晶体管第二电极的第二电极金属层，硅片衬底顶面上方设置有平行于硅片衬底的包含数个第一类电容极板和数个第二类电容极板的多层电容极板；在硅片衬底顶面与硅片衬底顶面上方的一块电容极板间以及在相邻的两块电容极板间填充有电介质层；第一类电容极板和第二类电容极板相互交替间隔配置，且第一类电容极板均与所述第一电极金属层电性连接用于构成所述旁路

专利地区：美国