场发射光源装置专利登记公告

专利名称：场发射光源装置

摘要：本发明是有关于一种场发射光源装置，包括：一底基板；阴极，是设置于底基板上；至少一发射块，是设置于阴极上且与阴极电性连接；一绝缘层，是设置于阴极上，其中该绝缘层具有至少一开口，遂使发射块凸出该开口；阳极，是设置于绝缘层上，并与阴极排列成m×n矩阵(matrix)，且阳极个别具有对应于发射块的撞击面；以及一发光层，是设置于该撞击面上。据此，本发明可提高场发射光源装置的光利用率。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110032840.2

专利申请（专利权）人：大同股份有限公司

专利发明（设计）人：杨宗翰;罗吉宗

主权项：一种场发射光源装置，其特征在于，包括：一底基板；m条阴极，是设置于该底基板上；至少一发射块，是设置于该m条阴极上且与该m条阴极电性连接；一绝缘层，是设置于该m条阴极上，其中该绝缘层具有至少一开口，遂使该至少一发射块凸出该至少一开口；n条阳极，是设置于该绝缘层上，并与该m条阴极排列成m×n矩阵(matrix)，其中m及n分别为1以上的整数，且该n条阳极具有至少一撞击面，其是对应该至少一发射块且为一斜面或一曲面；以及一发光层，是设置于该至少一撞击面上。

专利地区：台湾