发光二极管结构及其制作方法专利登记公告

专利名称：发光二极管结构及其制作方法

摘要：本发明公开一种发光二极管结构及其制作方法。此发光二极管结构包含承载装置、发光二极管管芯、第一电性电极及第二电性电极。承载装置包含承载板与侧墙，侧墙设于承载板上且在承载板上形成承载槽。发光二极管管芯固设于承载槽中。发光二极管管芯包含依序堆叠的第一电性半导体层、发光层与第二电性半导体层。第一电性半导体层具有第一区与第二区。发光二极管管芯更包含第二导电分支设于第一区的第二电性半导体层上，及第一导电分支设于第二区的第一电性半导体层上。第一电性电极延伸于侧墙与第一导电分支上。第二电性电极延伸于侧墙与第二导电分支上。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110034891.9

专利申请（专利权）人：奇力光电科技股份有限公司;佛山市奇明光电有限公司

专利发明（设计）人：余国辉;王建钧;朱长信;吴浩青

主权项：一种发光二极管结构，包含：承载装置，包含承载板与侧墙，其中该侧墙设于该承载板上，且在该承载板上形成一承载槽；发光二极管管芯，固设于该承载槽中，其中该发光二极管管芯包含依序堆叠的第一电性半导体层、发光层与第二电性半导体层，其中该第一电性半导体层具有第一区与第二区，其中该发光二极管管芯还包含：第二导电分支，设于该第一电性半导体层的该第一区的该第二电性半导体层上；以及第一导电分支，设于该第一电性半导体层的该第二区的该第一电性半导体层上；第一电性电极，延伸于该侧墙与该第一导电分支上；以及第二电性电极，延伸于该侧墙

专利地区：台湾