具有掩埋栅的半导体器件及其制造方法专利登记公告

专利名称：具有掩埋栅的半导体器件及其制造方法

摘要：本发明涉及一种半导体器件，包括：掩埋栅，所述掩埋栅形成在衬底之上；存储节点接触插塞，所述存储节点接触插塞形成在衬底之上并包括柱图案和布置在柱图案之上的线图案；以及位线结构，所述位线结构形成在衬底之上并使存储节点接触插塞中相邻的存储节点接触插塞彼此隔离。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110044421.0

专利申请（专利权）人：海力士半导体有限公司

专利发明（设计）人：辛锺汉;朴宝旻

主权项：一种半导体器件，包括：掩埋栅，所述掩埋栅形成在衬底之上；存储节点接触插塞，所述存储节点接触插塞形成在所述衬底之上并包括柱图案和布置在所述柱图案之上的线图案；以及位线结构，所述位线结构形成在所述衬底之上并使所述存储节点接触插塞中相邻的存储节点接触插塞彼此隔离。

专利地区：韩国