离子注入设备专利登记公告
专利名称：离子注入设备
摘要：本发明公开了一种离子注入设备，其包括一离子源系统、一磁铁系统以及工件，该磁铁系统用于偏转由该离子源系统生成的离子束以从中筛选出具有预设荷质比的离子束，筛选出的该离子束沿竖直向下的传输方向注入工件，该离子注入设备还包括：一设于该磁铁系统与工件之间的电极系统，该电极系统用于将筛选出的该离子束偏转为竖直向下传输。本发明能够将离子束中的粉尘粒子基本过滤掉，从而极大地提高制得产品的良品率，还能够大幅地降低设备的总高度、降低设备的总成本，还可以改变离子束的能量，有助于实现精确的离子注入掺杂。
专利类型：发明专利
专利号：CN201110049448.9
专利申请（专利权）人：上海凯世通半导体有限公司
专利发明（设计）人：陈炯;钱锋
主权项：一种离子注入设备，其包括一离子源系统、一磁铁系统以及工件，该磁铁系统用于偏转由该离子源系统生成的离子束以从中筛选出具有预设荷质比的离子束，筛选出的该离子束沿竖直向下的传输方向注入工件，其特征在于，该离子注入设备还包括：一设于该磁铁系统与工件之间的电极系统，该电极系统用于将筛选出的该离子束偏转为竖直向下传输。
专利地区：上海
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