铬二铝碳陶瓷靶材及其真空热压制备方法专利登记公告

专利名称：铬二铝碳陶瓷靶材及其真空热压制备方法

摘要：本发明涉及一种铬二铝碳陶瓷靶材及其真空热压制备方法，包括将铬粉、铝粉和碳粉按照摩尔比2:(1~1.5):1配料，预压制坯；热压炉抽真空至10-1Pa，然后以5~10℃/min的速度升温到600~650℃，保温1~2小时；随后以10~20℃/min的速度升温至1300~1500℃，加压到10～30MPa时，保温保压2~4小时后，降温，降到900-1100℃，泄压至常压；冷却至室温，得到坯料；进行机械加工和电加工，然后清洗、烘干，得到高纯高单相含量铬二铝碳陶瓷靶材。本发明制备的铬二铝碳陶瓷靶材致密度达到97%

专利类型：发明专利

专利号：CN201110049635.7

专利申请（专利权）人：北京有色金属研究总院

专利发明（设计）人：储茂友;王星明;陈洋;邓士斌;韩沧;张碧田;段华英;潘德明

主权项：一种铬二铝碳陶瓷靶材，其特征在于：所述的陶瓷靶材中铬二铝碳单相含量达到98%～99%。

专利地区：北京