电沉积法制备铜铟硫薄膜材料专利登记公告

专利名称：电沉积法制备铜铟硫薄膜材料

摘要：本发明涉及一种铜铟硫薄膜的制备方法，属于光电材料技术领域。其主要特征是：采用电化学沉积法制备铜铟合金膜，再通过硫化退火的方法得到铜铟硫合金膜。本发明制得的铜铟硫薄膜不含杂相，表面呈柱状颗粒并且致密均匀的连结在一起；吸收系数可达到105cm-1数量级，禁带宽度接近太阳能电池材料所需的最佳值1.45eV，是一种简单、经济、环保的制备方法。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110050552.X

专利申请（专利权）人：北京化工大学

专利发明（设计）人：元炯亮;邵婵

主权项：一种恒电位沉积制备铜铟硫薄膜材料的方法，其特征在于：在恒定电位下共沉积得到铜铟合金膜，通过硫化退火的方法引入硫源得到铜铟硫半导体薄膜。

专利地区：北京