一种制备黑硅方法专利登记公告

专利名称：一种制备黑硅方法

摘要：本发明实施例公开了一种制备黑硅方法，包括以下步骤：对硅片表面进行清洁处理；在硅片表面沉积纳米银颗粒，形成纳米银颗粒掩膜；将具有纳米银颗粒掩膜的硅片进行等离子刻蚀，从而在硅片表面形成纳米陷光结构。由于纳米级银颗粒可减少等离子体刻蚀过程中离子轰击对硅片造成的损伤，并可制得均匀分布的绒面结构层，其具有较低的表面反射率和较高的载流子寿命，因此应用该方法能够在硅片上形成具有很强吸光特性、对光极其敏感的黑硅，同时该方法成本较低，工艺流程简单，且可以直接制备大面积的黑硅，具有较高的制备效率。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110050887.1

专利申请（专利权）人：苏州大学

专利发明（设计）人：苏晓东;辛煜;邹帅;陈军

主权项：一种制备黑硅方法，其特征在于，包括：对硅片表面进行清洁处理；在硅片表面沉积纳米银颗粒，形成纳米银颗粒掩膜；将具有纳米银颗粒掩膜的硅片进行等离子刻蚀，从而在硅片表面形成纳米陷光结构。

专利地区：江苏