氮化物系半导体发光结构专利登记公告

专利名称：氮化物系半导体发光结构

摘要：本发明公开了一种氮化物系半导体发光结构，其发光主波长介于500至540纳米之间，其包含P型氮化物系半导体层、N型氮化物系半导体层及氮化物系半导体主动层。所述的氮化物系半导体主动层形成于P型氮化物系半导体层及N型氮化物系半导体层之间。此外，氮化物系半导体主动层包含复数对量子井结构，每一对量子井结构堆栈成为夹层状。再者，每一对量子井结构包含一井层及一阻障层，其中每一阻障层的厚度介于10至25纳米之间。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110053394.3

专利申请（专利权）人：新世纪光电股份有限公司

专利发明（设计）人：赖彦霖

主权项：一种氮化物系半导体发光结构，包含：一P型氮化物系半导体层；一N型氮化物系半导体层；以及一氮化物系半导体主动层，其形成于该P型氮化物系半导体层及该N型氮化物系半导体层之间，其特征在于，该氮化物系半导体主动层包含复数对量子井结构，该复数对量子井结构的发光主波长介于500至540纳米之间，且每一该复数对量子井结构包含一井层及一阻障层，该阻障层厚度介于10至25纳米之间。

专利地区：台湾