具有金属栅极的半导体元件的制作方法专利登记公告

专利名称：具有金属栅极的半导体元件的制作方法

摘要：本发明提供一种制作具有金属栅极的半导体元件的方法。首先提供基底。基底包括第一导电型晶体管、第二导电型晶体管。第一导电型晶体管包括第一牺牲栅极，第二导电型晶体管包括第二牺牲栅极。接着移除第一牺牲栅极，以形成第一沟槽，并于第一沟槽内形成第一金属层以及第一物质层。平坦化第一金属层以及第一物质层。接着移除第二牺牲栅极，以形成第二沟槽，并于第二沟槽内形成第二金属层以及第二物质层。最后，平坦化第二金属层以及第二物质层。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110057040.6

专利申请（专利权）人：联华电子股份有限公司

专利发明（设计）人：廖柏瑞;蔡宗龙;林建廷;徐韶华;吕水烟;周珮玉;陈信琦;廖俊雄;蔡尚元;杨建伦;蔡腾群;林俊贤

主权项：一种制作具有金属栅极的半导体元件的方法，包括：提供基底，其中该基底包括第一导电型晶体管、第二导电型晶体管，其中该第一导电型晶体管包括第一牺牲栅极，该第二导电型晶体管包括第二牺牲栅极；移除该第一导电型晶体管的该第一牺牲栅极，以形成第一沟槽；于该第一沟槽内形成第一金属层以及第一物质层；平坦化该第一金属层以及该第一物质层；在平坦化该第一金属层以及该第一物质层之后，在未形成掩模层的情形下，直接移除该第二导电型晶体管的该第二牺牲栅极，以形成第二沟槽；于该第二沟槽内形成第二金属层以及第二物质层；以及平坦化该第二金属层

专利地区：台湾