光电材料制备专利登记公告

专利名称：光电材料制备

摘要：光电材料制备公开了含受体端基的给受体型寡聚噻吩化合物、其制备方法与用途。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110058165.0

专利申请（专利权）人：南开大学

专利发明（设计）人：陈永胜;刘永胜;万相见;王菲;龙冠奎;周娇艳

主权项：选自通式(1)至通式(6)的含受体端基的给受体型寡聚噻吩化合物：通式(1)通式(2)通式(3)通式(4)通式(5)通式(6)其中，n为1至50的整数，R1和R2分别独立地选自H、C1?C30烷基、C3?C30环烷基、C1?C30烷氧基、C1?C30羧酸酯基或其卤素取代的衍生物，其中R1和R2可以相同也可以不同，但是R1和R2不能同时为H，D和D1分别独立地为桥连的共轭电子给体单元，A和A1分别独立地为桥连的共轭电子受体单元，以及A2为端基受体单元。FSA00000448766900011.tif,FSA0

专利地区：天津