非创伤性葛根素离子渗透给药系统的制备方法专利登记公告

专利名称：非创伤性葛根素离子渗透给药系统的制备方法

摘要：本发明的目的是克服现有技术的不足，公开了一种非创伤性葛根素离子渗透给药系统的制备方法，该给药系统包括给药池、接受池、导电硅胶电极、离子渗透仪或交流电发生仪，其制备方法采取如下步骤：A.选择给药池溶液和接受池溶液；B.置换葛根素离子交换膜；C.判断是否提取完全；D.葛根素离子交换膜置入导电硅胶电极；E.连接葛根素离子渗透给药系统。在试验所采用的条件下，采用非创伤性给药方式，药物的渗透量明显提高，因此本发明提供了一种安全、快速、方便的新型给药系统的制备方法。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110062661.3

专利申请（专利权）人：上海蓝怡科技有限公司

专利发明（设计）人：李子樵;练子富;许清芳;丁竟鹏

主权项：一种非创伤性葛根素离子渗透给药系统的制备方法，其特征在于，该给药系统包括给药池、接受池、导电硅胶电极、离子渗透仪或交流电发生仪，其制备方法采取如下步骤：选择给药池溶液和接受池溶液：给药池溶液选用pH值为5.0?5.5之间的葛根素溶液，其pH范围内离子型药物占药物总浓度的96%以上，保证离子渗透过程顺利完成，给药池中同时加入皮肤渗透促进剂，接受池溶液选用生理盐水；置换葛根素离子交换膜：将阳离子交换膜切割成所需大小，经去离子水冲洗后，置于含有皮肤渗透促进剂的pH值为5.0?5.5之间的葛根素饱和溶液中，再经水

专利地区：上海