集成电路装置及其制备方法专利登记公告

专利名称：集成电路装置及其制备方法

摘要：本发明提供一种集成电路装置及其制备方法，其中一实施例揭示的一种集成电路装置包含一下晶片，具有一第一环形介电区块；至少一堆叠晶片，设置于该下晶片上，其中该下晶片具有一第二环形介电区块，该下晶片及该堆叠晶片以一中间黏着层予以接合，且在该下晶片及该堆叠晶片之间没有焊垫；以及至少一导电插塞，实质上以直线方式贯穿该堆叠晶片且深入该下晶片，其中该导电插塞设置于该第一环形介电区块及该第二环形介电区块之中。本发明无需在下晶片及堆叠晶片之间形成焊垫，可以解决公知技术的焊垫制造相当复杂且昂贵问题。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110062922.1

专利申请（专利权）人：南亚科技股份有限公司

专利发明（设计）人：黄财煜

主权项：一种集成电路装置，包含：一下晶片(10A)，具有一第一环形介电区块(21A)；至少一堆叠晶片(10B)，设置于该下晶片上，其中该下晶片具有一第二环形介电区块(21B)，该下晶片及该堆叠晶片以一中间黏着层(41)予以接合，且在该下晶片及该堆叠晶片之间没有焊垫；以及至少一导电插塞(49)，实质上以直线方式贯穿该堆叠晶片且深入该下晶片，其中该导电插塞设置于该第一环形介电区块及该第二环形介电区块之中。

专利地区：台湾