金属栅极结构及其制作方法专利登记公告

专利名称：金属栅极结构及其制作方法

摘要：本发明公开一种金属栅极结构及其制作方法，该制作方法包括：首先提供基底，且该基底上依序形成有高介电常数栅极介电层与底部阻障层。接下来于该基底上形成功函数金属层，最后对该功函数金属层同位进行热处理。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110063912.X

专利申请（专利权）人：联华电子股份有限公司

专利发明（设计）人：杨建伦;许启茂;吴俊元;郑子铭;邹世芳;林进富;黄信富;蔡旻錞

主权项：一种金属栅极结构，包括：高介电常数栅极介电层；底部阻障层，设置于该高介电常数栅极介电层上；三铝化钛功函数金属层，设置于该底部阻障层上；顶部阻障层，设置于该三铝化钛功函数金属层上；以及低阻抗金属层，设置于该顶部阻障层上。

专利地区：台湾