有机场效应晶体管存储器的编程方法专利登记公告

专利名称：有机场效应晶体管存储器的编程方法

摘要：本发明公开了一种有机场效应晶体管存储器的编程方法。该编程方法中，在对有机场效应晶体管存储器进行编程时施加光照，这有助于增加有机场效应晶体管存储器中存储的载流子数目和增大沟道的开态电流，从而可以提高有机场效应晶体管存储器的存储窗口和电流开关比。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110065340.9

专利申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所

专利发明（设计）人：刘明;王宏;姬濯宇;商立伟;陈映平;王艳花;韩买兴;刘欣

主权项：一种基于有机场效应晶体管存储器的编程方法，其特征在于，包括：在对有机场效应晶体管存储器编程的过程中，对所述有机场效应晶体管存储器进行光照。

专利地区：北京