提高非挥发性电阻存储器可靠性的方法及结构专利登记公告

专利名称：提高非挥发性电阻存储器可靠性的方法及结构

摘要：本发明公开了一种提高非挥发性电阻存储器可靠性的方法及结构，所述结构包括若干个相同的电阻随机存储器单元，其中所述电阻随机存储器单元之间相并联以组成并联的冗余结构；所述并联的冗余结构的公共电极两端施加有电流激励，以采用电流扫描的方式对所述并联的冗余结构进行编程和/或擦除操作。本发明可以提高非挥发性电阻存储器在嵌入式系统应用中的可靠性。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110066233.8

专利申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所

专利发明（设计）人：刘明;连文泰;龙世兵;吕杭炳;刘琦;李颖弢;张森;王艳

主权项：一种提高非挥发性电阻存储器可靠性的方法，其特征在于，将若干个相同的电阻随机存储器单元组成并联的冗余结构，并在所述并联的冗余结构的公共电极两端施加有电流激励，以采用电流扫描的方式对所述并联的冗余结构进行编程和/或擦除操作。

专利地区：北京