一种任意阻抗人工合成材料及其设计方法专利登记公告

专利名称：一种任意阻抗人工合成材料及其设计方法

摘要：本发明提供了一种任意阻抗人工合成材料，任意阻抗人工合成材料包括片状基材及附着在片状基材上的多个人造微结构，多个人造微结构包括对电场产生响应的第一微结构及对磁场产生响应的第二微结构，并且第一微结构及第二微结构设置在片状基材两侧对应的位置上。改变第一微结构或第二微结构的尺寸、几何形状和/或分布，以改变任意阻抗人工合成材料的介电常数或磁导率。本发明提供的任意阻抗人工合成材料，通过改变对电场响应的第一微结构及对磁场响应的第二微结构的尺寸及几何形状，从而满足对超材料的性能要求。本发明提供的人工合成材料，结构简单，可

专利类型：发明专利

专利号：CN201110066502.0

专利申请（专利权）人：深圳光启高等理工研究院;深圳光启创新技术有限公司

专利发明（设计）人：刘若鹏;栾琳;赵治亚;李岳峰

主权项：一种任意阻抗人工合成材料，其特征在于，所述任意阻抗人工合成材料包括片状基材及附着在所述片状基材上的多个人造微结构，所述多个人造微结构包括对电场产生响应的第一微结构。

专利地区：广东