制造硅晶锭的方法专利登记公告

专利名称：制造硅晶锭的方法

摘要：本发明公开了一种制造硅晶锭的方法，包括以下步骤：将多晶硅给料放入坩埚中直至所述多晶硅给料高出所述坩埚的开口端预定高度；在所述多晶硅给料上放置石英垫片；在所述石英垫片上设置盖板，其中所述盖板的尺寸适于覆盖所述坩埚的开口端；向所述坩埚内喷吹非活性气体的同时加热所述多晶硅给料以使其熔化为熔体；以及使所述熔体定向凝固，得到硅晶锭。根据本发明实施例的制造硅晶锭的方法，可以将给料量提高20-30％，从而提高了生产效率、降低了晶锭的制造成本。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110066981.6

专利申请（专利权）人：王楚雯

专利发明（设计）人：李园

主权项：一种制造硅晶锭的方法，其特征在于，包括以下步骤：将多晶硅给料放入坩埚中直至所述多晶硅给料高出所述坩埚的开口端预定高度；在所述多晶硅给料上放置石英垫片；在所述石英垫片上设置盖板，其中所述盖板的尺寸适于覆盖所述坩埚的开口端；向所述坩埚内喷吹非活性气体的同时加热所述多晶硅给料以使其熔化为熔体；以及使所述熔体定向凝固，得到硅晶锭。

专利地区：北京