化学机械抛光的方法专利登记公告

专利名称：化学机械抛光的方法

摘要：一种化学机械抛光的方法，包括：提供抛光层；采用碱性的研磨浆料研磨所述抛光层；采用酸性的缓冲剂去除研磨后形成在所述抛光层表面的残留物层；在去除所述残留物层之后，形成覆盖所述抛光层的钝化层。本发明实施例的化学机械抛光的方法，抛光层表面的平整度高，半导体器件的成品率高，长期稳定性好。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110068908.2

专利申请（专利权）人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

专利发明（设计）人：赵峰;邓武锋;赵敬民;陈枫;刘俊良

主权项：一种化学机械抛光的方法，其特征在于，包括：提供抛光层；采用碱性的研磨浆料研磨所述抛光层；采用酸性的缓冲剂去除研磨后形成在抛光层表面的残留物层；在去除所述残留物层之后，形成覆盖所述抛光层的钝化层。

专利地区：上海