一种无机半导体超级纳米粒子及其制备方法专利登记公告

专利名称：一种无机半导体超级纳米粒子及其制备方法

摘要：本发明提供了一种无机半导体超级纳米粒子以及制备方法，该无机半导体超级纳米粒子的制备方法包括将含有阳离子配位剂和负电荷稳定剂的水溶液的pH值调节至8-10，并向该水溶液中加入阴离子配位剂，然后以0.1-2℃/分钟的加热速率升温至40-100℃，其中，所述阳离子配位剂中的阳离子与所述阴离子配位剂中的阴离子能够形成沉淀。根据本发明提供的所述无机半导体超级纳米粒子的制备方法，无需实施组装过程即可直接形成无机半导体超级纳米粒子，从而简化了无机半导体超级纳米粒子的制备过程，而且，整个制备过程中无需使用有机溶剂，不会造

专利类型：发明专利

专利号：CN201110069175.4

专利申请（专利权）人：国家纳米科学中心

专利发明（设计）人：唐智勇;夏云生

主权项：一种无机半导体超级纳米粒子的制备方法，其特征在于，该方法包括将含有阳离子配位剂和负电荷稳定剂的水溶液的pH值调节至8?10，并向该水溶液中加入阴离子配位剂，然后以0.1?2℃/分钟的加热速率升温至40?100℃，其中，所述阳离子配位剂中的阳离子与所述阴离子配位剂中的阴离子能够形成沉淀。

专利地区：北京