化学机械研磨方法专利登记公告
专利名称:化学机械研磨方法
摘要:本发明涉及一种化学机械研磨方法,该方法用于对多个前端器件结构依次进行化学机械研磨,前端器件结构均包括具有测试沟槽的层间介电层以及形成在层间介电层上的待研磨金属材料层,其特征在于,利用前一晶片的实际研磨时间、前一晶片研磨前与研磨后的测试沟槽横截面积的变化值以及下一晶片研磨后的测试沟槽横截面积的目标值来计算下一晶片的实际研磨时间,并且第1个前端器件结构的研磨时间t1是预定值。由于沟槽中填充有金属从而形成钨塞结构或者铜互连结构,而通过研磨时间来控制研磨去除的测试沟槽的面积大小,从而可以更好地控制研磨后的测试沟槽
专利类型:发明专利
专利号:CN201110072338.4
专利申请(专利权)人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
专利发明(设计)人:赵峰;赵敬民;邓武锋;陈枫;刘俊良
主权项:一种化学机械研磨方法,所述方法用于对多个前端器件结构依次进行化学机械研磨,所述前端器件结构均包括具有测试沟槽的层间介电层以及形成在所述层间介电层上的待研磨金属材料层,其特征在于,所述方法还包括:a)对第n个前端器件结构进行时间长度为tn的化学机械研磨,n为正整数;b)对第n+1个前端器件结构进行时间长度为tn+1的化学机械研磨,所述tn+1=fn?×tn×(SE(n+1)?S0)/(SEn?SPn),其中,fn的取值范围为0.5~5,SEn和SPn分别是所述第n个前端器件结构的测试沟槽研磨前与研磨后的横截
专利地区:上海
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